点击图片查看原图半导体分立器件静态测试系统特点和优势：
高电压：支持高达3.5KV高电压测试；
大电流：支持高达2KA大电流测试；
高精度：支持uΩ*导通电阻、nA*漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升*测量单元；
测试效率高：可自动切换、*键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；
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项目 |
参数 |
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集电*-发射* |
*大电压 |
3500V |
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*大电流 |
1000A(可拓展至3000A) |
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准确度 |
±0.1% |
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大电压上升沿 |
典型值5ms |
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大电流上升沿 |
典型值15μs |
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大电流脉宽 |
50μs~500μs |
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漏电流测试量程 |
1nA~100mA |
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栅*-发射* |
*大电压 |
300V |
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*大电流 |
1A(直流)/10A(脉冲) |
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准确度 |
±0.05% |
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*小电压分辨率 |
30μV |
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*小电流分辨率 |
10pA |
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电容测试 |
典型精度 |
±0.5% |
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频率范围 |
1KHz~2MHz |
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电容值范围 |
0.1pF~300nF |
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温控 |
范围 |
25℃~200℃ |
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准确度 |
±2℃ |
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测试项目
二*管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、 正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线
三*管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅*内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线
光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、 电流传输比CTR、隔离电容CIO联系我们：
武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士
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普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体*域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的*三代半导体功率器件静态参数测试方案，为IGBT SiC器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、**率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！