点击图片查看原图普赛斯igbt特性参数测试仪静态测试系统,集多种测量和分析功能*体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ*精确测量、nA*电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
IGBT测试系统图
普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够*大方便用户添加或升*测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
“双高”系统优势
高电压、大电流
具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V
具有大电流测量/输出能力,电流高达1000A(可拓展至3000A)
高精度测量
nA*漏电流, μΩ*导通电阻
0.1%精度测量
模块化配置
可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升*空间,后期可添加或升*测量单元
测试效率高
内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元
支持国标全指标的*键测试
扩展性好
支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具
测试项目
集电*-发射*电压Vces，集电*-发射*击穿电压V(br)ces、集电*-发射*饱和电压Vcesat
集电*截止电流Ices、栅*漏电流Iges
栅*-发射*电压Vges、栅*-发射*阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二*管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
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武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士
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普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体*域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的*三代半导体功率器件静态参数测试方案，为IGBT SiC器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、**率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！