武汉普赛斯仪表有限公司

IGBT是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给IGBT测试带来了*定的困难:

1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;

2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;

3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A*电流,并完成压降的采样;

4、lGBT耐压较高,*般从几千到*万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA*漏电流测试的能力;

5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁,需要提供us*电流脉冲信号减少器件自加热效应;

6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。

普赛斯功率器件静态测试解决方案

普赛斯功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能*体,可以精准测量功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ*精确测量、nA*电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

IGBT测试系统图

  普赛斯功率器件静态测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够*大方便用户添加或升*测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

  igbt模块测试设备igbt检测仪“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V

    具有大电流测量/输出能力,电流高达1000A(可拓展至3000A)

    高精度测量

    nA*漏电流, μΩ*导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升*空间,后期可添加或升*测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的*键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

测试项目
集电*-发射*电压Vces，集电*-发射*击穿电压V(br)ces、集电*-发射*饱和电压Vcesat
集电*截止电流Ices、栅*漏电流Iges
栅*-发射*电压Vges、栅*-发射*阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二*管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

武汉普赛斯仪表有限公司 陶女士

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