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武汉普赛斯仪表有限公司

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国产源表搭建集成电路实验平台
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产品： 浏览次数：101国产源表搭建集成电路实验平台 
品牌： 普赛斯仪表
测试范围： 0.3mV-300V/100nA-1A
测试精度： 0.1%
最大输出功率： 30W
单价： 面议
最小起订量： 1 台
供货总量： 10000 台
发货期限： 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至： 长期有效
最后更新： 2025-04-15 10:30
详细信息
 半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的双端口或三端口器件，如二 管，晶体管，场效应管等。 直流I-V测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础，通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数。

 

分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用，如金属互连，镀层阶段，芯片封装后的测试等。

 

普赛斯仪表开发的半导体分立器件I-V特性测试方案，由 台或两台源精密源测量单元（SMU）、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET器件为例，配套以下设备：

两台S型数字源表

四根三同轴电缆

夹具或带有三同轴接口的探针台

三同轴T型头

三端口MOSFET器件测试方案搭建图

 

 

需要测试的参数：
输出特性曲线

转移特性曲线

跨导 gm

击穿电压 BVDS

半导体分立或封装器件IV扫描曲线

 

 


需要仪器列表：
SMU 源表

探针台或夹具

普赛斯上位机软件

半导体分立或封装器件IV扫描曲线2

 

高校相关专业
测控，微电子

电气，自动化，机械

所有开设模拟电路课程的专业


 

  1. 有关半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验平台的更多信息请咨询 八 四零六六三四七六
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